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元件参数资料
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参数目录38876
> IRFIB7N50LPBF MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
型号:
IRFIB7N50LPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFIB7N50LPBF PDF
产品目录绘图
IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装
1,000
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫欧 @ 4.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
92nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2220pF @ 25V
功率 - 最大
46W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件
其它名称
*IRFIB7N50LPBF
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